Defect disorder model has been developed to determine equilibrium off-stoichiometry and its spatial variations in UO2 crystals. Malli antaa atomivirheiden ja elektronisten kantajien pitoisuudet hapen osapaineen ja lämpötilan funktioina irtotavarassa ja happiympäristössä olevien kidepintojen lähellä. Julkaistuista tiheysfunktionaaliteorialaskelmista saadut energeettiset parametrit on integroitu vikojen epäjärjestysmalliin, jotta vikatiheys ja off-stoikiometria voidaan määrittää tarkasti. Ionosorptioteoriaa on käytetty happiympäristön ja kiteen vikatilan kytkemiseksi toisiinsa, kun ratkaisimme vikahäiriön kidepintojen lähellä. Vastoin yleistä käsitystä, jonka mukaan UO2:n hyperstoikiometriaa hallitsevat happi-interstitiaalit, nykyinen malli ennustaa, että tätä tilaa hallitsevat pikemminkin uraanin tyhjät tilat. Mallin ennusteet osoittavat myös, että pintojen läsnä ollessa pistevirheiden pitoisuudet vaihtelevat suuruusluokkaa pinnan alapuolisella alueella suhteessa bulkkialueeseen.